Browsing by Author "Encadreur: Abid Hamza"

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    Contribution à l’étude et la modélisation du transistor à effet de champ à grille isolée de haute permittivité diélectrique
    (2017-12-18) MOSTEFAI Abdelkrim; Encadreur: Abid Hamza; Co-Encadreur: BERRAH Smail
    Résumé (Français et/ou Anglais) : La miniaturisation des transistors Métal-Oxyde-Semi-conducteur à effet de champ (MOSFET) ne suffit plus à satisfaire les spécifications de performances de l’International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Dans ce cadre, les oxydes de grille MOS atteignent des épaisseurs limites qui les rendent perméables aux courants de fuite. Une solution est de remplacer le SiO2 par un matériau de permittivité plus élevée. Une approche analytique basée sur un prédicteur neuronal a été développée dans le cas du transistor MOSFET à permittivité élevé (HfO2). Cette dernière nous a permis de prévoir l'évolution de courant du drain en fonction des différents paramètres (tension du drain, tension de grille, longueur du canal et épaisseur d’oxyde). Les résultats obtenu par l’approche neuronal, elle était vérifié par la technique GA, est les deux méthodes présentent une meilleure stratégie conventionnelle d'extraction des paramètres, en terme de convergence elles fournissent des solutions optimales globales.
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    Crystal orientation effects on electronic and optical properties of wurtzite CdZnO/ZnO quantum well lasers
    (2015-11-26) Hebal Hamza; Encadreur: Abid Hamza
    Résumé (Français et/ou Anglais) : The object of this work is to investigate crystal orientation‘s effects on electronic optical properties of wurtzite CdZnO/ZnO quantum wells (QWs) with piezoelectric (PZ) and spontaneous (SP) polarization using the multiband effective-mass theory and the non-Markovian gain model with many-body effects. In this research, we address the electronic and the optical properties of wurtzite CdZnO grown on ZnO substrate, the valence -band structures for the QW structure are calculated based on the k.p method .The results will be confronted with those of WZ GaN/InGaN QW structures and also similar studies.
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    Electronic and optical properties of the AlxGa1-xAs1-yNy materials, applied for vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) and solar cells
    (2012-11-25) MERABET Boualem; Encadreur: Abid Hamza
    Abstract: The aim of my study is to investigate electronic and optical proprieties of the AlxGa1-xAs1-yNy thin layers utilized as quantum wells (QW) grown on GaAs substrates, applied for solar cells and vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs), in order to design high efficiency solar cell and long wavelength optoelectronic device applications. The method of calculations adopted is “Full Potential – Linear Augmented Plane Waves”, using the Wien2k code under Inux environment. This study will confront the available theoretical and experimental works in the optimization and design of solar cells and LW-VCSELs research areas.