Browsing by Author "Encadreur: H. Mansour-Mazari"

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    Etude du comportement électrique des structures à base de composé de l’élément III-nitruré: Au/GaN
    (2016-11-17) KHELIFI RESKI; Encadreur: H. Mansour-Mazari; Co-Encadreur: S. Mansouri
    Résumé Aujourd’hui, les semiconducteurs à large bande interdite tels que les nitrures s’élément III (GaN, InN et AIN) sont les candidats idéaux pour réaliser un nouveau saut technologique. Leurs propriétés physiques en font des matériaux sans concurrents pour un grand nombre d’application dans des environnements hostiles (hautes températures, hautes puissances et hautes fréquences). Parmi ces semiconducteurs, on peut citer le nitrure de gallium (GaN) qui est beaucoup étudié en raison de son important potentiel dans les dispositifs électroniques comme les diodes, les transistors, les capteurs et les cellules solaires. Le travail de cette thèse se rapporte sur la recherche d’informations concernant le substrat GaN autosupporté (freestanding). Les procédures expérimentales adoptées et les résultats expérimentaux obtenus par les caractérisations électriques sur les structures Au/n-GaN autosupporté telles que les caractéristiques courant-tension I(V), capacité-tension C(V), capacité-fréquence-tension C-f-V et conductance-fréquence-tension G-f-V associés à de modestes interprétations. La simulation des caractéristiques I(V) en comparaison avec la caractéristique expérimentale a montré la prédominance du courant tunnel dans les mécanismes de transport pour la structure Hg/n-GaN et du courant thermoïonique pour la structure Au/n-GaN. La simulation des caractéristiques C(V) a montré que les caractéristiques théoriques des structures Hg/n-GaN et Au /n-GaN rejoignent les caractéristiques expérimentales pour des tensions, comprises entre -0.25 V et -1.2 V. Un pallié apparait au voisinage de zéro volt dû à une accumulation de charge en surface ou à la résistance série. Au delà de -1.2 V les caractéristiques simulées s’éloignent des caractéristiques expérimentales indiquant probablement la présence de défauts dans le volume de GaN. Ces défauts sont de types donneurs avec un nombre important et une répartition de plusieurs niveaux à l’intérieur de la bande interdite. Mots clé: GaN autosupporté, modélisation, I(V), C(V), C-f-V, G-f-V.