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    Étude des propriétés structurales, électroniques et optiques de l’alliage Semi-conducteur BAlGaN : Etude ab-initio
    (2013-03-21) Djoudi lakhdar; Encadreur: Lachebi Abdelhadi
    Résumé : Dans ce travail, nous avons étudiés les propriétés structurales, électroniques et optique des binaires BN, AlN et GaN et des ternaire AlGaN, BGaN et BAlN et de quaternaire BAlGaN dans la phase zinc-blende, en utilisant la méthode ab-initio (la méthode des ondes planes augmentées linearisées (FP-LAPW)) dans le cadre de la fonctionnelle de la densité (DFT) avec les deux approximations ; l’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation du gradient généralisée (GGA) de Wu et de Cohen. Parmi les principaux résultats trouvé : Le BN a un gap indirect avec AlN ; le GaN a un gap direct ; le BxGa1-xN a une transition de phase du gap direct vers le gap indirect pour des concentrations en bore élevées (x> 0,75) et pour BxAl1-xN, le gap directe se trouve entre 7 % et 83 % (0,07 0.75). As for BxAl1-xN, a direct-gap is found in the boron content range 0.07 < x < 0.83. For AlxGa1-xN and BxAlyGa1-x-yN compounds, they have been found to be direct-gap materials. The results show that the BxGa1-xN, BxAl1-xN, AlxGa1- xN and BxAlyGa1-x-yN materials may well be useful for optoelectronic applications. At the end of this work, we have developed a computer program (DLSBAC V 2.0) which predicts some structural and electronic parameters for semiconductor alloys ternary and quaternary. Keywords : FP-LAPW; BxAlyGa1-x-yN alloy; Bulk modulus; Wien2k; Structural properties; Electronic properties.