Repository logo
  • English
  • Français
  • Türkçe
  • Log In
    New user? Click here to register.Have you forgotten your password?
Repository logo
UNIVERSITY OF D.L SIDI BEL ABBES
  • Communities & Collections
  • All of DSpace
  • English
  • Français
  • Türkçe
  • Log In
    New user? Click here to register.Have you forgotten your password?
  1. Home
  2. Browse by Author

Browsing by Author "Rabehi Abdelaziz"

Now showing 1 - 1 of 1
Results Per Page
Sort Options
  • Loading...
    Thumbnail Image
    Item
    Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation
    (2017-01-31) Rabehi Abdelaziz; Encadreur: AMRANI Mohammed
    الملخص (بالعربية) الغاليوم لديه خصائص فيزيائية المتميزة، تظهرمطابقة تماما في تطبيقات الموجات الدقيقة والالكترونيات والكهرباء ،ولكن أيضا في مجال الإلكترونيات الضوئية (ثنائيات ضوئية ،الثنائيات الليزر) المصلحة من هذه الدراسة هو توصيف ومحاكاة الخصائص الكهروضوئية لوصلة شوتكي Au/GaN/GaAs . والهدف هومعرفة تأثير طبقة نيترة الجاليوم GaN على المعلمات الكهربائية والبصرية للهيكل شوتكي. من اجل المحاكاة قمنا بتطوير برنامج كبيوتر يقوم بحساب التيار الكهربائي لوصلة شوتكي في الضلام و تحت الانارة و يمكننا من مقارنة النتائج المتحصل عليها من المحاكات مع النتائج المتحصل عليها تجريبيا في المخبر. ويستند البرنامج على حل رقمي لمعادلة بواسون و معادلات استمرارية الإلكترونات والثقوب باستخدام طريقة الفروق المحدودة. يتم الحصول على التأثيرالكهروضوئي السطح عن طريق إجراء القياسات الحالية في الظلام و تحت إضاءة .المقارنة بين القياسات التجريبية و قياسات المحاكات تمكننا من دراسة تأثير سلوك التيار الكهربائي و الكهرو ضوئي لوصلة شوتكي Au/GaN/GaAsكما تمكننا من التحقق من صحة النموذج المطور Résumé (Français et/ou Anglais) : Le matériau GaAs présente des propriétés physiques remarquables, apparaissent comme parfaitement adaptés dans les applications hyperfréquences, pour l'électronique de puissance, mais également dans le domaine de l'optoélectronique (diodes photoluminescentes, diodes laser). L’intérêt de cette étude est de caractériser et simuler les caractéristiques photoélectriques d’un contact métal/ GaAs nitruré. Le but est de connaître l’effet de la couche de nitruration GaN sur les paramètres électriques et optiques de la structure Schottky. La simulation en question est de mettre au point un programme de calcul 1D de la tension photoélectrique qui sera comparée à celle obtenue par mesure expérimentale. Le programme est basé sur une résolution stationnaire simultanée de l'équation de Poisson et les deux équations de continuité des électrons et des trous, estimés à l'aide d'une méthode des différences finies. L’effet photoélectrique de surface est obtenu en effectuant des mesures de courant à l’obscurité et sous illumination (lumière). Le fit des mesures expérimentales estimant d’une part les valeurs des différents paramètres électriques et optiques du matériau et d’autres part valider le modèle développé.
NEW FOOTER TEMPLATE
Logo

Institutional Repository of the Djillali Liabes University of Sidi Bel Abbes

DIRECT LINKS

M.E.S.R.SC.R.U.OD.G/R.S.d.TPROGRES FVES.N.D.LA.U.F

Useful links

Web TVMédiathèqueResaerchGateGoogle Scholar

Our Centers

C.E.I.LC.A.P.UC.S.R.I.C.T.E.DC.I.A

Our Platforms

ELEARNINGMESSAGERIENouveau DSPACEAncien DSPACE

All Rights Reserved. 2023 © UNIVERSITY OF Djilali Liabes
            BP 89, Sidi Bel Abbes, 22000-Algeria
.
PLATFORM DEVELOPED BY DSPACE LYRASIS.

Designed by Information System Section (S.I) -C.S.R.I.C.T.E.D