Etude et caractérisation de nano-composants à base de semiconducteur III-N pour des applications en puissance et hyperfréquence
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Date
2013-01-17
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Abstract
Résumé :
Les transistors à effet de champ basé sur les semiconducteurs III-V sont à l’heure actuelle les
candidats les plus prometteurs pour des applications de puissance telles que les télécommunications.
Pour ce faire, des transistors à effet de champ tels les HEMTs AlGaN /GaN (High Electron Mobility
Transistor) seront réalisés afin d’étudier certaines caractéristiques comme la montée en fréquence, la
linéarité, les fortes puissances et une bonne tenue en tension. L’objectif de cette thèse consiste à
comprendre les mécanismes physiques qui régissent la conduction et le fonctionnent des transistors
HEMTs AlGaN/GaN, à améliorer et à maîtriser une technologie stable à haute fréquence. Afin de
repousser davantage les limites imposées par les pièges de surface et la tenue en tension de ces
composants, l’ajout d’une électrode de champ sera étudié. Des mesures électroniques du type courant tension, capacité –tension seront effectuées, ceci afin de comprendre les mécanismes de formation de
ces matériaux et d’optimiser le fonctionnement de ces dispositifs nanométriques réalisés à partir de ces
matériaux. Enfin des interprétations et des discussions viendront compléter ce travail expérimental.
Mots clés : GaN, AlGaN,Transistors HEMTs, électrode de champ.
Abstract
The field effect transistors based on III-V semiconductors are currently the most promising candidates
for power applications such as telecommunications. For this purpose, field effect transistors HEMTs
such as AlGaN / GaN (High Electron Mobility Transistor) will be made to study characteristics such
as the rise in frequency, linearity, high power and good dielectric strength. The objective of this thesis
is to understand the physical mechanisms governing the conduction and function of transistors
HEMTs AlGaN / GaN, improve and control a stable technology at high frequency. To push back more
the limit imposed by surface traps and the component hold voltage, the addition of fieldplate has been
study. Electronic measurements of the type current-voltage, capacity-tension will be made, in order to
understand the mechanisms of formation of these materials and to optimize the operation of these
nanometric devices made from these materials. Finally interpretations and discussions will
complement this experimental work.
Keywords : GaN, AlGaN, HEMTs Transistors, fieldplate.
Description
Doctorat en Sciences
