Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation
| dc.contributor.author | Rabehi Abdelaziz | |
| dc.contributor.author | Encadreur: AMRANI Mohammed | |
| dc.date.accessioned | 2026-05-11T09:46:40Z | |
| dc.date.available | 2026-05-11T09:46:40Z | |
| dc.date.issued | 2017-01-31 | |
| dc.description | Doctorat en Sciences | |
| dc.description.abstract | الملخص (بالعربية) الغاليوم لديه خصائص فيزيائية المتميزة، تظهرمطابقة تماما في تطبيقات الموجات الدقيقة والالكترونيات والكهرباء ،ولكن أيضا في مجال الإلكترونيات الضوئية (ثنائيات ضوئية ،الثنائيات الليزر) المصلحة من هذه الدراسة هو توصيف ومحاكاة الخصائص الكهروضوئية لوصلة شوتكي Au/GaN/GaAs . والهدف هومعرفة تأثير طبقة نيترة الجاليوم GaN على المعلمات الكهربائية والبصرية للهيكل شوتكي. من اجل المحاكاة قمنا بتطوير برنامج كبيوتر يقوم بحساب التيار الكهربائي لوصلة شوتكي في الضلام و تحت الانارة و يمكننا من مقارنة النتائج المتحصل عليها من المحاكات مع النتائج المتحصل عليها تجريبيا في المخبر. ويستند البرنامج على حل رقمي لمعادلة بواسون و معادلات استمرارية الإلكترونات والثقوب باستخدام طريقة الفروق المحدودة. يتم الحصول على التأثيرالكهروضوئي السطح عن طريق إجراء القياسات الحالية في الظلام و تحت إضاءة .المقارنة بين القياسات التجريبية و قياسات المحاكات تمكننا من دراسة تأثير سلوك التيار الكهربائي و الكهرو ضوئي لوصلة شوتكي Au/GaN/GaAsكما تمكننا من التحقق من صحة النموذج المطور Résumé (Français et/ou Anglais) : Le matériau GaAs présente des propriétés physiques remarquables, apparaissent comme parfaitement adaptés dans les applications hyperfréquences, pour l'électronique de puissance, mais également dans le domaine de l'optoélectronique (diodes photoluminescentes, diodes laser). L’intérêt de cette étude est de caractériser et simuler les caractéristiques photoélectriques d’un contact métal/ GaAs nitruré. Le but est de connaître l’effet de la couche de nitruration GaN sur les paramètres électriques et optiques de la structure Schottky. La simulation en question est de mettre au point un programme de calcul 1D de la tension photoélectrique qui sera comparée à celle obtenue par mesure expérimentale. Le programme est basé sur une résolution stationnaire simultanée de l'équation de Poisson et les deux équations de continuité des électrons et des trous, estimés à l'aide d'une méthode des différences finies. L’effet photoélectrique de surface est obtenu en effectuant des mesures de courant à l’obscurité et sous illumination (lumière). Le fit des mesures expérimentales estimant d’une part les valeurs des différents paramètres électriques et optiques du matériau et d’autres part valider le modèle développé. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-sba.dz/handle/123456789/2409 | |
| dc.title | Propriétés électriques et photoélectriques des diodes Schottky à base du matériau GaAs nitruré: Mesures et Simulation | |
| dc.type | Thesis |
