CONTRIBUTION A L’ÉTUDE DE PHOTORÉCEPTEURS RAPIDES. CAS DU PHOTODÉTECTEUR MÉTAL-SEMICONDUCTEUR-MÉTAL SUR MATÉRIAU III-V.
| dc.contributor.author | ZEBENTOUT ABDEL DJAWAD BOUMEDIENE | |
| dc.contributor.author | Encadreur: BENSAÂD ZOUAOUI | |
| dc.contributor.author | Co-Encadreur: D. DECOSTER | |
| dc.date.accessioned | 2026-06-10T08:55:24Z | |
| dc.date.available | 2026-06-10T08:55:24Z | |
| dc.date.issued | 2012-11-25 | |
| dc.description | Doctorat en sciences | |
| dc.description.abstract | Résumé : Dans ce travail, l’influence des paramètres dimensionnels sur le courant d’obscurité et le photocourant du photodétecteur Métal-Semiconducteur-Métal (MSM) interdigité et monoélectrode a été mise en évidence. Des photodétecteurs MSM de différentes grandeurs ont été réalisés sur GaAs (N.I.D) en utilisant le procédé de lithographie électronique. En obscurité, les caractérisations I (V) en DC en polarisation directe et inverse montrent la bonne symétrie des courbes, ce qui a révélé le bon fonctionnement des composants et la bonne réalisation des contacts Schottky. L’application d’une fibre lentillée couplée à un laser de longueur d’onde 0.8 µm et de puissance 16 mW pour un éclairement par le dessus des photodétecteurs MSM a permis de mesurer le photocourant et de voir son évolution et l’effet de variation d’impédance suivant les géométries des structures utilisées. Beaucoup d’investigations ont été faites pour l’utilisation des photoconducteurs dans la photocommutation en hyperfréquence. Dans cette optique, nous avons introduit les photodétecteurs MSM à contact Schottky dans le ruban central des lignes coplanaires afin de réaliser des commutateurs commandés optiquement sans polarisation appelés photo-interrupteurs. La caractérisation de ces composants en obscurité et sous éclairement nous a permis d’obtenir des rapports On/Off de 26 dB à 20 GHz et 28 dB à 25 GHz. Ces composants présentent un bon isolement en obscurité et de faibles pertes d’insertion ce qui est une alternative aux photo-interrupteurs réalisés sur GaAs basse température employés généralement à cet usage. Mots clés : Photodétecteur Métal-Semiconducteur-Métal (MSM), Arséniure de Gallium (GaAs), Contact Schottky, Ligne coplanaire, Photo-commutateur Hyperfréquence. Abstract : In this work, we present the influence of dimensional parameters on dark current and photocurrent of Metal-Semiconductor-Metal photodetector (MSM) of interdigitated and monoelectrode structure. MSM photodetectors of different sizes have been fabricated on GaAs (N.I.D) using the method of electron beam lithography. In darkness, the DC characterizations in reverse and forward bias show good symmetry of curves, which show the good performance of components and successful fulfillment of the Schottky contacts. A lensed fiber coupled to a laser wavelength of 0.8 µm and 16 mW powers for illumination from the top of MSM photodetectors was used to measure the photocurrent and see its evolution and the resistance effect following the shapes of the structures used. Many investigations have been made for the use of photoconductors in photoswitching in microwave. To this end, we introduced Schottky MSM photodetectors in the central strip of the coplanar lines in order to achieve optically controlled switches without bias photo-switches. The characterization of these components in dark and under illumination allowed us to obtain On/Off ratio of 26 dB at 20 GHz and 28 dB at 25 GHz. These components have good insulation in darkness and low insertion losses which can be an alternative to photo-switches made on low temperature GaAs generally used for this purpose. Keywords: Metal-Semiconductor-Metal (MSM) photodetector, Gallium Arsenide (GaAs), Schottky Contact, Copanar line, Microwave photoswitche. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-sba.dz/handle/123456789/2525 | |
| dc.title | CONTRIBUTION A L’ÉTUDE DE PHOTORÉCEPTEURS RAPIDES. CAS DU PHOTODÉTECTEUR MÉTAL-SEMICONDUCTEUR-MÉTAL SUR MATÉRIAU III-V. | |
| dc.type | Thesis |
