- [ VRPG-Doc-S] Electronique

Permanent URI for this collection

https://dspace.univ-sba.dz/handle/123456789/480

Browse

Browsing - [ VRPG-Doc-S] Electronique by Author "Encadreur: AMRANI Mohammed"

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Simulation de la conduction dans les dispositifs à semiconducteurs à durée de vie et à relaxation, comparaison des caractéristiques I(V)
    (2015-11-26) NOUAR Fadila Souad; Encadreur: AMRANI Mohammed
    :الملخص (بالعربية) ملخص يتمثل هدفنا في إنشاء جهاز محاكاة ثلاثية الإبعاد لدراسة المكونات مع هندسة منخفضة التصميم ويسمح بتحديد في حجم البنية التوتر، التوزيعات للإلكترونات والثقوب يتم الحصول على التركيزات من خلال حل عددي لمعادلات ا لنقل الكهربائي و معادلات يواسون تعتمد النسخة الأصلية على محاكاة أشباه الموصلات مدى الحياة يتركز عملنا على إجراء مقارنة بين أشباه الموصلات مدى الحياة والاسترخاء في وضع التوصيل، من خلال خلق جهاز محاكاة أكثر تطورا لمقارنة هدين النوعين من أشباه الموصلات، نعتبر قيمتين مختلفين جداً لمدى الحياة 0τ يعتمد أسلوب الحل على استخطاط معادلات النقل بواسطة أسلوب الفروق المنتهية. لحل المعادلات الغير الخطية نعتمد على خوارزمية نيوتن ،و لكن بسبب التباعد في حالة عدم وجود قيم أولية ملائمة، فضلنا حساب هده الأخيرة عن طريق خوارزمية قومال ، و من ثمة خلق طريقة جديدة ،تتمثل في دمج خوارزميتي نيوتن و قومال، و التخفيض من الوقت لإجراء الحسابات. للتحقق من صحة النموذج، أجرينا اختبارات المحاكاة على صمام ثنائي طويل من نوع .PIN كلمات مفتاحية أشباه الموصلات مدى الحياة والاسترخاء، محاكاة ثلاثية الإبعاد، خوارزمية نيوتن، خوارزمية قومال Résumé (Français et/ou Anglais) : Our objectif consists in creating a 3D three-dimensional simulator conceived for the study of components with low geometry of conception, allows determining in the volume of a structure, the distributions of potential and the densities of free carries according to a given polarization, by resolution of Poisson ‘s equation as well as both equations of continuity. The initial version can simulate components based on lifetime semiconductor. Our work consists in making a comparison between lifetime and relaxation semiconductors in the conduction mode, with the aim of creating a more developed simulator. We consider the case corresponding to two values very different from diffusion lifetime τ0 which is a measure of the life expectancy in diet of transport, corresponding to two different semiconductor, lifetime and relaxation SC. The method of resolution consists of a linearization of the equations of transport by the method of a finite difference. The algorithm adapted to the resolution of the not linear equations and strongly coupled ensuing from the physical model is the one of Newton Raphson, However to allow better one convergence and consequently an improvement in the weather of 3D calculation often prohibitive, a combined method, integrating at the same time the algorithm of Newton and that of Gummel was finalized. The tests of simulation for the validation of the model are made on the long diodes of type PIN. Key words: Lifetime semiconductor, relaxation semiconductor, three-dimensional Simulation, Newton algorithm, Gummel algorithm.