- [ VRPG-Doc-S] Electronique
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- ItemContribution l’étude des propriétés électroniques, structurales, et optique du ternaire GaNAs et du quaternaire InGaNAs par la méthode FP-LAPW(2015-10-22) ZIANE Mohamed Issam; Encadreur: BENSAAD ZouaouiRésumé (Français et/ou Anglais) : L'électronique et plus particulièrement l'optoélectronique est présente dans de multiples domaines et prend une place de plus en plus importante surtout dans les systèmes de télécommunications par fibres optiques et de conversion d'énergie. Le développement rapide de l'optoélectronique n'aurait pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux utilisés. L'étude des matériaux semi-conducteurs occupe donc une place particulière depuis quelques années et représente toujours l'étape essentielle dans la conception de n'importe quel dispositif optoélectronique. Le but du présent travail est de contribuer à l'étude des propriétés structurales, électroniques et optiques des matériaux GaAs, GaN, InAs et InN et de leurs alliages ternaire InGaAs, InGaN, GaNAs et InNAs et quaternaire InGaAsN par le biais de la méthode d'ondes planes augmentée linéarisée (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). La méthode FP-LAPW est implémentée dans le code de calcul WIEN2K approprié à la modélisation des solides.
- ItemCaractérisation et modélisation des structures métal/ matériaux GaAs nitrurés par les techniques capacités-tension C-V et de conductances-tension G-V en fonction de la fréquence(2018-12-04) Ziane Abderrezzaq; Encadreur: Amrani Mohamedالملخص (بالعربية) : يتعلق عمل هذه الأطروحة في البداية بالتوصيف الكهربائي للخصائص السعة -الجهد والموصلية- الجهد لأجهزة المعدن /شبه ناقل نتريدIII-V (نتريد غاليوم زرنيخ). كما سيتم إجراء قياسات السعة -الجهد والموصلية- الجهد للترددات وكذلك الخصائص الفيزيائية على هذه الأجهزة. ثم يستمر العمل مع نمذجة خصائص السعة -الجهد والموصلية- الجهد لأجهزة المعدن / أشباه الموصلات على أساس المواد (نتريد غاليوم زرنيخ) وتطوير برامج المحاكاة مما يجعل من الممكن دراسة آثار المعلمات الكهربائية على هذه الاجهزة . سيتم مقارنة النتائج التي تم الحصول عليها عن طريق النمذجة مع النتائج التجريبية. سوف يتنبأ التحليل بتحسينات فيزيائية وتكنولوجية ستؤدي إلى تحسن في أداء الأجهزة القائمة على هذه المواد Résumé (Français et/ou Anglais) : Résumé Le travail de cette thèse se rapporte dans un premier temps sur la caractérisation électrique des caractéristiques capacité-tension et conductance-tension structures métal/ matériaux III-V nitruré (GaAS nitruré). Des mesures de capacités-tension et de conductances-tension en fonction de la fréquence et des caractérisations physiques seront aussi effectuées sur ces structures. Ensuite le travail se poursuit par la modélisation des caractéristiques C-V et G-V des structures métal/semi conducteur à base de matériaux III-V nitruré (GaAS nitruré) et le développement des programmes de simulation permettant ainsi d’étudier les effets des paramètres électriques des structures. Les résultats obtenus par modélisation seront comparés aux résultats expérimentaux. L’analyse permettra de prévoir des optimisations physiques et technologiques qui mèneront à une amélioration des performances des dispositifs à base de ces matériaux. Abstract The work of this thesis relates initially to the electrical characterization of the characteristics capacitance-voltage and conductance-voltage structures metal /materials III-V nitrided (GaAs nitrided). Capacitance-voltage and frequency conductance-voltage measurements as well as physical characterizations will also be performed on these structures. Then the work continues with the modeling of the C-V and G-V characteristics of the metal / semiconductor structures based on nitrided IIIV materials (nitrided GaAs) and the development of the simulation programs thus making it possible to study the effects of electrical parameters of structures. The results obtained by modeling will be compared with the experimental results. The analysis will predict physical and technological optimizations that will lead to an improvement in the performance of devices based on these materials
- ItemConception et implémentation d’une librairie de conteneurs réguliers méta-programmés pour les architectures parallèles, applicable aux systèmes numériques multidimensionnels(2017-11-13) Zouaoui Chakib Mustapha Anouar; Encadreur: Taleb nasreddineRésumé (Français et/ou Anglais) : Résumé : Cette thèse présente une nouvelle conception de conteneurs de données multidimensionnels et multiplateforme, particulièrement adaptée pour l’écosystème OPENCL, qui a permis l’élaboration d’une nouvelle librairie que nous baptisons CL_ARRAY. Outre, la simplicité d’utilisation, une sécurité intégrée et une sémantique à typage statique qui caractérisent les conteneurs du CL_ARRAY, nous proposons un concept similaire au ARRAY_VIEW du C++AMP pour formaliser le modèle d’exécution et ou le modèle dépendances à faible grains , par ailleurs et même si les autres librairies qui proposent des conteneurs évolués , ne sont pas adaptées pour l’écosystème OPENCL, nos résultats ont démontré une performance supérieure et une économie mémoire conséquente comparativement à trois librairies de conteneurs les plus populaires auprès de la communauté des développeurs dans le contexte d’applications de l’algèbre multilinéaire. Abstract: This doctoral thesis presents a new metaprogramming library, CL_ARRAY, which offers multiplatform and generic multidimensional data containers for C++ specifically adapted for parallel programming. The CL_ARRAY containers are built around a new formalism for representing the multidimensional nature of data as well as the semantics of multidimensional pointers and contiguous data structures. We also present OCL_ARRAY_VIEW, a concept based on metaprogrammed enveloped objects that supports multidimensional transformations and multidimensional iterators designed to simplify and formalize the interfacing process between OpenCL APIs, standard template library (STL) algorithms and CL_ARRAY containers. Our results demonstrate improved performance and energy savings over the three most popular container libraries available to the developer community for use in the context of multi-linear algebraic applications.
- ItemEtude des Nano-composants Nitrures/substrat III/V à base d'arséniure de gallium - caractérisation électrique et modélisation associées(2012-12-19) ZOUGAGH NABIL; Encadreur: BENAMARA Zineb; Co-Encadreur: H. MAZARIRésumé : Ce travail se rapporte sur l'étude des structures à base de nitrures de galium, réalisé sur des substrats de GaAs en vue de réalisation de composants électroniques en particulier l'étude d'hétéro-structures nitrures/matériaux III-V appliqués dans des domaines optoélectroniques qu’à la réalisation de transistors hyper fréquence. Il permet de fabriquer des composants stables à hautes températures et à hautes fréquences. Pour mieux comprendre les phénomènes physiques et technologiques mis en jeu pour le fonctionnement de tels dispositifs nitrures/III-V et avoir la possibilité d’optimisé ces dernier, nous avons élaboré une série des échantillons de GaAs nitrurées à différentes épaisseurs comparés à un échantillon témoin (GaAs), à l’aide de spectroscopie, des électrons Auger (AES) et des photoélectrons X (XPS) avant d'être analysées in-situ par des mesures électriques I (V) et C(V). Les caractéristiques électriques effectués sur ces structures nous ont permis de déterminer les différents paramètres électriques, tels que le courant de saturation Is, le facteur d’idéalité n, la résistance série RS, la tension de diffusion Vd ainsi que le dopage Nd. Ces paramètres diffèrent d’un échantillon à l’autre. Une modélisation précède l’extraction de ces paramètres pour savoir quel modèle de conduction est prédominant dans nos structures à étudié. Les résultats obtenus confirment que nos structures sont de type diode Schottky. Mots clés : Nitruration, Caractérisations électriques, Hétéro-structures, GaN/GaAs Recuit, modélisation. Abstract : This work presents the study of the effect of a thin gallium nitride (GaN) layer, deposited on GaAs substrate. Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray electron spectroscopy were used to follow the different steps of the nitridation process. The electrical characteristics I(V) and C(V) measurements, associate with a modeling are realized. The I(V) characteristics of these structures show the behavior of rectifying contacts. According to I(V) characteristics, a sufficiently high thickness of the GaN layer followed by an annealing of the GaN/GaAs structure improves the conduction phenomena of the current. Keywords : GaN, Electrical Characterization, Modeling, Schottky Diode.
- ItemEffects of Codes and Subcarrier Interleaving on Multi-code Multicarrier CDMA System(2016-11-08) ZOUGGARET Abdelhak; Encadreur: DJEBBARI Aliالملخص(بالعربية) ثمة حاجة لأنظمة الاتصالات اللاسلكية في المستقبل لنقل البيانات بمعدلات بث عالي، وهذا ما يحفز الباحث للعمل على التكنولوجيات الجديدة للجيل القادم من أنظمة الاتصالات اللاسلكية المتنقلة يعتبر نمتعدد الرمز متعدد الناقل CDMA (MC-MC-CDMA) كمرشح قوي نظرا لقدراتها لتقليل تلاشي تردد والتداخل الوصول المتعدد (MAI). هذه طريقة تجمع بين تقنيات الوصول متعددة CDMA،(MC-CDMA) و متعدد الرمز CDMA (Multi-CodeCDMA ).حيث تركز هذه الأطروحة البحثية حول تأثير التداخل في تنوع الوقت وتنوع التردد في نظام MC-MC-CDMA هذه الرسالة اولا تحلل النظام MC-MC-CDMA وتدرس نسبة خطأ البت (BER) على أساس عدة عوامل مثل: عدد المستخدمين، وعدد الرمز، ونوع الموحد بعد ذلك، تقدم هذه الأطروحة نوع جديد من التداخل فيالوقت و التردد في نظام MC-MC-CDMAالذي يسمح بتنوع ثنائي الأبعاد في كل من الوقت والتردد. مما يمكننا من تنفيذ تداخل ثنائي الأبعاد داخلتنوعالوقت وتنوع التردد.نتائج المحاكاة تبرهن أن الطريقة المقترحة تعطي أداء أفضل في (BER). أيضا، نلاحظ أن (BER) كل من التداخل 2D-رئيس والتداخل2D-عشوائي متشابهة.اضافة على ذلك، فإن المكسب من التداخل أكبر في تنوع التردد منتنوع الوقت. وأخيرا، نصل إلى أفضل ذروة نسبة إشارة الضوضاء (PSNR) عندما نقوم بنقل الصور (الملونة، أبيض وأسود) من خلال تقنية المقترحة Résumé (Français et/ou Anglais) : Abstract Future wireless communication systems are required to transport data at much higher bit rates and this motivates a researcher to work on the new technologies for the next generation of wireless mobile communication systems. Multi-code Multi-carrier CDMA (MC-MC-CDMA) has emerged as a powerful candidate due to its capabilities of minimizing frequency selective fading and Multiple Access Interference (MAI).This transmission method combining the multiple access technologies (CDMA), to those multiple codes and multiple carriers. This research thesis focuses on the effect of interleaving in time and frequency diversity in MC-MC-CDMA system. This thesis first analysesthe MC-MC-CDMA system and investigates the Bit Error Ratio (BER) performance on the basis of several factors such as:users number, M-ary symbol number, code sequence and combiner type. Next, this thesis presents a new time-frequency interleaving in a MC-MC-CDMA system, which allows two-dimensional spreading in both time and frequency domains.Our contribution consists in implementing a two-dimensional interleaving inside the time and frequency diversity. We demonstrate via simulation results that the proposed method yields better performances in BER. Also, we observe that BER of both the 2D-prime interleaving and the 2D-random interleaving are similar. Furthermore, the interleaving gain is larger in a frequency-diversity than time-diversity. Finally, we reach better Peak Signal to Noise Ratio (PSNR) when we transmit images(color, black and white) through the proposed technique.
