Browsing by Author "Encadreur: Zaoui Ali"

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    Etude de la dureté et du magnétisme des di-borures à base des terres rares et de l’alliage Tm1-xTixB2 par la méthode DFT+U
    (2016-07-03) Zazoua fatiha; Encadreur: Zaoui Ali
    Résumé (Français et/ou Anglais) : Une étude théorique au sein de la DFT des composés TiB2 et RB2 (R=élément de terre rare) et les alliages ternaires Tm1-xTixB2 a été réalisée afin d’examiner la dureté macroscopiques via le calcul des propriétés mécaniques et les mécanismes de liaison dans ces systèmes. La validité de la théorie dans la recherche de l’état fondamental est de nouveau démontrée où le protocole calculatoire utilisé dans cette thèse a permis la prise en compte du potentiel d’Hubbard U pour traiter les électrons fortement localisés 4f. Les résultats obtenus sur les différents alliages peuvent être généralisés à d’autres alliages appartenant de la même famille. En résume, les résultats mécaniques des composés binaires montrent que le système TiB2 est trouvé ultra-dur en comparent avec les composé RB2. D’un point de vue électronique, les liaisons B-B jouent un rôle plus important que l’interaction Ti (Tm)-B sur la valeur de la dureté macroscopique de ces systèmes. A travers ces calculs, nous avons réussi à obtenir des résultats en excellant accord avec l’expérience. Les calculs LSDA+U montrent que toutes les concentrations intermédiaires étudiées de l’alliage ternaire Tm1-xTixB2 sont trouvées ferromagnétiques. En plus, une densité de charge importante est observée dans le composé TiB2 en comparant à celle du composé TmB2 et les alliages étudiés. Pour des distances interatomiques B-B courtes, la dureté dans les alliages Tm1-xTixB2 est élevée. Donc, la liaison covalente B-B est responsable de la dureté dans ces systèmes.
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    Simulations de l’effet des défauts dans les semi-conducteurs demi-Heusler
    (2017-05-18) MEHNANE Haounana; Encadreur: Zaoui Ali
    :الملخص (بالعربية) لقد قمنا بدراسة الخصائص البنيوية والالكترونية للمركبات نصف-هوسلار مقارنة مع أشباه النواقل 5-3 باستخدام عمليات حسابية-مبدئية استنادا الى نظرية دالية كثافة في هذا العمل ، سنوضح تشابه البنية الالكترونية لهذه المواد مع أشباه النواقل 5-3 من خلال تحليل ثوابت الشبكة البلورية ، الموانع الطاقوية والثوابت العازلة الساكنة في الضغط الاعتيادي لتقديم مرشحين جدد للأجهزة الألكتروضوئية Résumé (Français et/ou Anglais) : Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des composés demi-Heusler comparés avec les semi-conducteurs III-V en utilisant des calculs de premier principes basés sur la théorie de la fonctionnelle de densité. Dans ce travail, nous démontrons la similarité de la structure électronique de ces matériaux à celle des semi-conducteurs III-V à travers l'analyse des paramètres de maille, des gaps d’énergie et des constants diélectriques statiques à la pression ambiante pour prévoir de nouveaux candidats pour les dispositifs optoélectroniques.