Simulations de l’effet des défauts dans les semi-conducteurs demi-Heusler
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Date
2017-05-18
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Abstract
:الملخص (بالعربية)
لقد قمنا بدراسة الخصائص البنيوية والالكترونية للمركبات نصف-هوسلار مقارنة مع أشباه النواقل 5-3 باستخدام عمليات حسابية-مبدئية استنادا الى نظرية دالية كثافة في هذا العمل ، سنوضح تشابه البنية الالكترونية لهذه المواد مع أشباه النواقل 5-3 من خلال تحليل ثوابت الشبكة البلورية ، الموانع الطاقوية والثوابت العازلة الساكنة في الضغط الاعتيادي لتقديم مرشحين جدد للأجهزة الألكتروضوئية
Résumé (Français et/ou Anglais) :
Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des composés demi-Heusler
comparés avec les semi-conducteurs III-V en utilisant des calculs de premier principes basés sur
la théorie de la fonctionnelle de densité. Dans ce travail, nous démontrons la similarité de la
structure électronique de ces matériaux à celle des semi-conducteurs III-V à travers l'analyse des
paramètres de maille, des gaps d’énergie et des constants diélectriques statiques à la pression
ambiante pour prévoir de nouveaux candidats pour les dispositifs optoélectroniques.
Description
Doctorat en Sciences
