Browsing by Author "MEHNANE Haounana"

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    Simulations de l’effet des défauts dans les semi-conducteurs demi-Heusler
    (2017-05-18) MEHNANE Haounana; Encadreur: Zaoui Ali
    :الملخص (بالعربية) لقد قمنا بدراسة الخصائص البنيوية والالكترونية للمركبات نصف-هوسلار مقارنة مع أشباه النواقل 5-3 باستخدام عمليات حسابية-مبدئية استنادا الى نظرية دالية كثافة في هذا العمل ، سنوضح تشابه البنية الالكترونية لهذه المواد مع أشباه النواقل 5-3 من خلال تحليل ثوابت الشبكة البلورية ، الموانع الطاقوية والثوابت العازلة الساكنة في الضغط الاعتيادي لتقديم مرشحين جدد للأجهزة الألكتروضوئية Résumé (Français et/ou Anglais) : Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des composés demi-Heusler comparés avec les semi-conducteurs III-V en utilisant des calculs de premier principes basés sur la théorie de la fonctionnelle de densité. Dans ce travail, nous démontrons la similarité de la structure électronique de ces matériaux à celle des semi-conducteurs III-V à travers l'analyse des paramètres de maille, des gaps d’énergie et des constants diélectriques statiques à la pression ambiante pour prévoir de nouveaux candidats pour les dispositifs optoélectroniques.