Caractérisation électrique et photoélectrique des hétéros structures à base de composés III-V nitrurés
| dc.contributor.author | KACHA Arslane Hatem | |
| dc.contributor.author | Encadreur: AKKAL Boudali | |
| dc.contributor.author | Co-Encadreur: ROBERT-GOUMET Christine | |
| dc.date.accessioned | 2026-10-20T09:34:28Z | |
| dc.date.available | 2026-10-20T09:34:28Z | |
| dc.date.issued | 2017-09-14 | |
| dc.description | Doctorat | |
| dc.description.abstract | Résumé (Français et/ou Anglais) : Le but de ce travail est l’étude des diodes Schottky fabriquées à base de GaAs nitruré. Afin de comprendre les phénomènes physiques liés à ce type de composants électroniques, nous avons mis en jeu plusieurs paramètres lors de l’élaboration de ces structures tels que nettoyage chimique, la source de nitruration, le recuit thermique et le contact ohmique. Les étapes de fabrication ont été contrôlées par XPS (spectroscopie des photoélectrons X). Les structures élaborées ont été testées électriquement à l’obscurité avec des mesures I(V) et C(V). Ces mesures ont permis la détermination des paramètres électriques de ces structures tels que le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, la hauteur de barrière φb, la résistance série Rs, la tension de diffusion Vd et le dopage Nd. Des mesures C-V-f et G-V-f ont été effectuées sur une structure Au/GaN/GaAs afin de déterminer l’effet de la résistance sur les autres paramètres électriques de cette structure. Afin de tester photoélectriquement les structures étudiées, nous avons effectué des mesures I(V) sous éclairement par un laser d’une longueur d’onde λ = 532 nm et d’une puissance de sortie P = 100 mW. Ces mesures nous ont permis d’extraire expérimentalement la tension photoélectrique de surface SPV de ces structures. Les courbes SPV expérimentales ont été ajustées avec des courbes SPV calculées, à l’aide du programme de simulation que nous avons établi, afin d’estimer la densité des états d’interface Nss et l’excès de concentration δn des structures étudiées. The aim of this work is the study of MIS type Schottky diodes based on nitrided GaAs. In order to understand the physical phenomena associated with this type of electronic components, we have variated several parameters during the elaboration of these structures such as chemical cleaning, nitriding source, thermal annealing and ohmic contact. The fabrication steps were controlled by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy). The structures were electrically tested in the dark with I (V) and C (V) measurements. These measurements lead us to determine the electrical parameters of these structures such as the ideality factor n, the saturation current Is, the barrier height φb, the series resistance Rs, the diffusion potential Vd and the doping concentration Nd. C-V-f and G-V-f measurements were carried out on an Au / GaN / GaAs structure in order to determine the effect of the serries resistance on the other electrical parameters of this structure. In order to photoelectrically test our studied structures, I (V) measurements were performed under illumination by a laser with a wavelength λ = 532 nm and an output power P = 100 mW. These measurements have lead us to extract experimentally the surface photo voltage SPV of these structures. The experimental SPV curves were adjusted with SPV curves calculated using the simulation program we established in order to estimate the density of the interface states Nss and the excess concentration δn of the studied structures. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-sba.dz/handle/123456789/2985 | |
| dc.title | Caractérisation électrique et photoélectrique des hétéros structures à base de composés III-V nitrurés | |
| dc.type | Thesis |
