- [ VRPG-Doc] Electronique --- إلكترونيك
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- ItemOptimisation du protocole de routage AODV dans un réseau mobile ad-hoc par l’introduction de fonctionnalités du protocole LBAR(2019-01-08) GUIDOUM Amina; Encadreur: AOUED BOUKELIFabstract Our work is in the context of MANETS networks (Mobile Ad Hoc networks); an ad hoc network is a collection of mobile units; the multi-hop communications in the network are possible through routing protocols, most of these protocols do not take into account the distribution of the traffic load where the problem of congestion is very important, the optimization of the balancing load and search stable paths have been the subject of many researches in recent years, indeed, various techniques and methods have been added to the routing algorithms to optimize the existing protocols. We propose in this thesis new metrics based on the distribution of traffic load, which results in the use of less congested and more stable paths for data routing and meeting the requirements of quality of service. These techniques implemented in the AODV protocol, and the quality of service approach offers many benefits. An extension to the AODV protocol named AODV-SPB ad hoc on demand distance vector with stable path and balanced is proposed in the context of this thesis. The NS2 simulator is used to study the behavior of the AODV-SPB and AODV protocols, their influence on network performance via different scenarios and metrics. Keywords :MANETS, load balancing,congestion, stable path, AODV, AODV-SPB, NS2. Résumé Nos travaux se situent dans le contexte des réseaux MANETS(Mobile Ad Hoc networks) ; un réseau ad hoc est une collection d'unités mobiles; les communications multi sauts dans ce réseau sont possibles grâce à des protocoles de routage ;la plus part de ces protocoles ne prennent pas en compte la répartition de la charge du trafic où le problème de la congestion est très important, L'optimisation de la répartition de la charge du traffic et la recherche des chemins stable ont fait le sujet de nombreuses recherches ces dernières années, en effet divers techniques et méthodes ont été intégrées aux algorithmes de routage pour optimiser les protocoles existants. Nous proposons dans cette thèse de nouvelles métriques basées sur la répartition de la charge du trafic, qui se traduisent par l'utilisation des chemins moins encombrés et plus stables pour l'acheminement des données et répondre aux exigences de la qualité de service. Ces techniques sont implémentées au niveau du protocole AODV, et l'approche orientée à la qualité de service offre de nombreux avantages et ouvre les portes pour de nouvelles idées. Une extension au protocole AODV nommé AODV-SPB ad hoc on demand distance vectorwith stable path and balanced est proposé dans le cadre de ce mémoire basé sur le mécanisme de la répartition de la charge du trafic dans un réseau .le simulateur NS2 est utilisé pour étudier le comportement des protocoles AODV-SPB et AODV , l'influence sur les performances du réseau via différents scenarios et métriques. Mots clés: MANETS, l'équilibrage de charge, congestion, chemin stable, AODV, AODV-SPB, NS2.
- ItemETUDE DES CELLULES SOLAIRES MULTICOUCHES POLY CRISTALLINES(2021-03-10) HAMRI Yazid Zakaria; Encadreur: BOUREZIG YaminaRésumé (Français et/ou Anglais) : Résumé : Les cellules solaires en couches minces à base d’absorbeurs de type Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) représentent une technologie d’avenir à haut rendement de conversion d’énergie. Dans les cellules solaires conventionnelles, le tampon CdS, traditionnellement utilisé est optimal lorsqu’il est associé à un CIGS possédant un gap de 1,15eV mais moins optimal lorsque le gap de ce dernier est plus élevé. Pour surmonter cette limitation, le CdZnS est proposé dans cette étude, comme une couche tampon alternative pour remplacer le CdS dans les cellules CIGS présentant une surface appauvrie en cuivre (OVC). L’impact de la variation des concentrations de gallium et de zinc dans les couches absorbantes et tampons respectivement sur les performances des cellules solaires a été ensuite étudié à l'aide du logiciel AMPS-1D. Les résultats montrent une amélioration potentielle de l'efficacité de conversion affichant 23,71% pour une fraction molaire de gallium et de zinc de l’ordre de 0,7 et 0.6 respectivement. Ces résultats ont été attribués d’une part, à une meilleure exploitation du spectre solaire et d’une autre part à l’effet bénéfique de la couche OVC sur la tension de circuit ouvert. Abstract : Thin film solar cells based on Cu (In, Ga) Se2 absorbers (CIGS) represent a future technology with high conversion efficiency. In conventional solar cells, the CdS buffer, traditionally used, is optimal when combined with a CIGS with a 1.15eV gap but less optimal when the latter's gap is higher. To overcome this limitation, CdZnS is proposed in this study, as an alternative buffer layer to replace CdS in CIGS cells exhibiting a copper-depleted surface (OVC). The impact of varying concentrations of gallium and zinc in the absorber and buffer layers respectively on the performance of solar cells, was then investigated using AMPS-1D software. The results show a potential improvement in conversion efficiency showing 23.71% for a gallium and zinc contents of the order of 0.7 and 0.6 respectively. These results have been attributed on the one hand, to better exploitation of the solar spectrum and on the other hand, to the beneficial effect of the OVC layer on the open circuit voltage.
- ItemElaborations et caractérisations de nanostructures réalisées sur des matériaux III/V nitrurés(2021-12-16) HELAL Hicham; Encadreur: BENAMARA ZinebRésumé (en Français) : Le but de cette thèse est élaboration et caractérisations des structures Schottky à base de matériau III-V (GaAs) nitrurés. Différentes méthodes de nettoyage du substrat GaAs et différents sources de nitruration sont utilisées, la source à décharge Glow Discharge Cell (GDS) et la source de type Electron Cyclotron Resonance (ECR). Les structures élaborées ont été testées par des caractérisations électriques (mesures courant-tension pour différentes températures, capacité-tension et conductance-tension pour différentes fréquences) et par des caractérisations optiques (spectroscopie de photoluminescence sous différentes températures). Les mesures électriques ont permis de déterminer le comportent électrique et les paramètres électroniques tels que le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, la hauteur de barrière ɸb, la résistance série Rs … Les mesures optiques de photoluminescence ont permis de déterminer la qualité optique et les types de transitions radiatives intrinsèques et extrinsèques (impureté) de nos structures. En fin, des simulations numériques par logiciel Silvaco-Atlas ont été réalisées et validé par des résultats expérimentaux. Les mots clés : élaboration ; caractérisations ; GaAs ; Nitruration ; contacts Schottky, Silvaco-Atlas ; Abstract (en Anglais) : The aim of this thesis is the elaboration and characterization of Schottky structures based on III-V semiconductors (GaAs) nitrided. Different methods of cleaning for the GaAs substrates and different sources of nitridition are used, the Glow Discharge Cell (GDS) source and the Electron Cyclotron Resonance (ECR) source. The structures developed were tested by electrical characterizations (current-voltage measurements for different temperatures, capacitance-voltage and conductance-voltage for different frequencies) and by optical characterizations (photoluminescence spectroscopy at different temperatures). The electrical measurements led to show the electrical behavior and extract the electronic parameters such as the ideality factor n, the saturation current Is, the barrier height ɸb, the series resistance Rs… The optical photoluminescence measurements led to determine the optical quality and types of intrinsic and extrinsic (impurity) transitions of our structures. Finally, numerical simulations by Silvaco-Atlas software were carried out and validated by experimental results. Keywords : elaboration; characterizations; GaAs; Nitriding; Schottky contacts, Silvaco-Atlas
- ItemCaractérisation électrique et photoélectrique des hétéros structures à base de composés III-V nitrurés(2017-09-14) KACHA Arslane Hatem; Encadreur: AKKAL Boudali; Co-Encadreur: ROBERT-GOUMET ChristineRésumé (Français et/ou Anglais) : Le but de ce travail est l’étude des diodes Schottky fabriquées à base de GaAs nitruré. Afin de comprendre les phénomènes physiques liés à ce type de composants électroniques, nous avons mis en jeu plusieurs paramètres lors de l’élaboration de ces structures tels que nettoyage chimique, la source de nitruration, le recuit thermique et le contact ohmique. Les étapes de fabrication ont été contrôlées par XPS (spectroscopie des photoélectrons X). Les structures élaborées ont été testées électriquement à l’obscurité avec des mesures I(V) et C(V). Ces mesures ont permis la détermination des paramètres électriques de ces structures tels que le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, la hauteur de barrière φb, la résistance série Rs, la tension de diffusion Vd et le dopage Nd. Des mesures C-V-f et G-V-f ont été effectuées sur une structure Au/GaN/GaAs afin de déterminer l’effet de la résistance sur les autres paramètres électriques de cette structure. Afin de tester photoélectriquement les structures étudiées, nous avons effectué des mesures I(V) sous éclairement par un laser d’une longueur d’onde λ = 532 nm et d’une puissance de sortie P = 100 mW. Ces mesures nous ont permis d’extraire expérimentalement la tension photoélectrique de surface SPV de ces structures. Les courbes SPV expérimentales ont été ajustées avec des courbes SPV calculées, à l’aide du programme de simulation que nous avons établi, afin d’estimer la densité des états d’interface Nss et l’excès de concentration δn des structures étudiées. The aim of this work is the study of MIS type Schottky diodes based on nitrided GaAs. In order to understand the physical phenomena associated with this type of electronic components, we have variated several parameters during the elaboration of these structures such as chemical cleaning, nitriding source, thermal annealing and ohmic contact. The fabrication steps were controlled by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy). The structures were electrically tested in the dark with I (V) and C (V) measurements. These measurements lead us to determine the electrical parameters of these structures such as the ideality factor n, the saturation current Is, the barrier height φb, the series resistance Rs, the diffusion potential Vd and the doping concentration Nd. C-V-f and G-V-f measurements were carried out on an Au / GaN / GaAs structure in order to determine the effect of the serries resistance on the other electrical parameters of this structure. In order to photoelectrically test our studied structures, I (V) measurements were performed under illumination by a laser with a wavelength λ = 532 nm and an output power P = 100 mW. These measurements have lead us to extract experimentally the surface photo voltage SPV of these structures. The experimental SPV curves were adjusted with SPV curves calculated using the simulation program we established in order to estimate the density of the interface states Nss and the excess concentration δn of the studied structures.
- ItemAmélioration des propriétés électriques et optiques des couches minces de ZnO destinées aux applications photovoltaïques(2020-11-05) Karim SALIM; Encadreur: Medles MouradRésumé (en Français) : Des films minces de ZnO non dopé, dopé en Al, en Sn co-dopé Sn-Al et des couches double dépôt SnO2/ZnO avec et sans recuit ont été synthétisés avec succès par la méthode spray pyrolysis. Les nitrates de zinc (Zn (NO3) 2), le chlorure d'étain (SnCl2) et les nitrates d'aluminium (Al (NO3) 3) ont été utilisés comme produits chimiques de départ à différentes compositions. Les dépôts de films ont été effectués sur des substrats en verre à 350 ° C. La diffraction des rayons X a confirmé que les dopages Al, Sn et le co-dopage Al-Sn n'ont pas modifié la structure hexagonale Wurtzite de ZnO. Les couches minces de ZnO non dopées obtenues étaient fortement orientées suivant le plan cristallographique préférentiel (002) tandis que les films ZnO dopés Al, dopés Sn et Co-dopés Sn-Al étaient désorientés avec une légère perte de cristallinité. Les mesures optiques ont montré une augmentation de la transparence optique de 65% à 81% et de l'énergie de la bande interdite (Eg) de 3,23 à 3,30 eV. La conductivité électrique a augmenté avec la concentration de co-dopage Al-Sn pour atteindre la valeur de 0,335 (Ω cm) -1. Le double dépôt SnO2/ZnO avec recuit donne des valeurs importantes de la transmittance qui atteint 94% avec une conductivité électrique de 17.85 (Ω cm) -1 Les mots clés : ZnO, couches minces, spray pyrolysis Abstract (en Anglais) : Un-doped, Al-doped, Sn-doped, Sn-Al co-doped ZnO and SnO2 / ZnO double deposition layers with and without annealing thin films have been successfully synthesized by Spray Pyrolysis method. Zinc Nitrate (Zn(NO3)2), Tin Chloride (SnCl2) and Aluminum Nitrate (Al(NO3)3) were used as starting chemicals at different compositions. Films depositions were carried out on glass substrates at 350°C. The X-ray diffraction confirmed that the Al-doping, Sn-doping and Al-Sn co-doping did not change the ZnO Hexagonal Wurtzite structure. The obtained un-doped ZnO films were highly oriented along the preferential (002) crystallographic plane while the Al-doped, Sn-doped and Sn- Al co-doped ZnO films were disoriented with slight loss of crystallinity. The optical measurement showed an increase of the average transmittance from 65 % to 81 % and the band gap energy (Eg) from 3.23 to 3.30 eV. The electrical conductivity has increased with the Al-Sn co-doping concentration to reach the value of 0.335 (Ω.cm)-1. The SnO2/ZnO double deposition with annealing gives an important values of the transparency which reach 94% with an electrical conductivity of 17.85 (Ω cm) -1 Keywords : ZnO, Thin films , Spray pyrolysis
