Simulations de l’effet des défauts dans les semi-conducteurs demi-Heusler
| dc.contributor.author | MEHNANE Haounana | |
| dc.contributor.author | Encadreur: Zaoui Ali | |
| dc.date.accessioned | 2025-01-19T09:09:53Z | |
| dc.date.available | 2025-01-19T09:09:53Z | |
| dc.date.issued | 2017-05-18 | |
| dc.description | Doctorat en Sciences | |
| dc.description.abstract | :الملخص (بالعربية) لقد قمنا بدراسة الخصائص البنيوية والالكترونية للمركبات نصف-هوسلار مقارنة مع أشباه النواقل 5-3 باستخدام عمليات حسابية-مبدئية استنادا الى نظرية دالية كثافة في هذا العمل ، سنوضح تشابه البنية الالكترونية لهذه المواد مع أشباه النواقل 5-3 من خلال تحليل ثوابت الشبكة البلورية ، الموانع الطاقوية والثوابت العازلة الساكنة في الضغط الاعتيادي لتقديم مرشحين جدد للأجهزة الألكتروضوئية Résumé (Français et/ou Anglais) : Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des composés demi-Heusler comparés avec les semi-conducteurs III-V en utilisant des calculs de premier principes basés sur la théorie de la fonctionnelle de densité. Dans ce travail, nous démontrons la similarité de la structure électronique de ces matériaux à celle des semi-conducteurs III-V à travers l'analyse des paramètres de maille, des gaps d’énergie et des constants diélectriques statiques à la pression ambiante pour prévoir de nouveaux candidats pour les dispositifs optoélectroniques. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-sba.dz/handle/123456789/2173 | |
| dc.title | Simulations de l’effet des défauts dans les semi-conducteurs demi-Heusler | |
| dc.type | Thesis |
